要：
钽电解电容能够快速替代传统的电解电容, 不仅因为它具有较好的电性能, 还因为其工艺特点决定了它封装体积较小, 易于小型化和批量生产, 能够满足目前电子产品的自动化发展, 因此得到普遍的应用。但钽电容受结构问题影响, 容易在大电流下失效;同时, 当选型钽电容为临界规格时, 长期可靠性相对较低, 比较容易失效, 这些问题在我们生产使用中都用重点关注。
下面简单介绍下钽电容的主要加工工艺
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目前常见的钽电容有三种失效模式:电压型、电流型和发热型。
电压型失效是指使用过程中存在不合理工作电压或浪涌电压过高, 引起局部打火, 导致介质层击穿;另外五氧化二钽层不可能没有任何缺陷, 如果介质层长期工作在高电压条件下, 当氧化层的缺陷受高压作用产生较高的电场强度, 并在局部形成高温, 则极易产生晶化的现象。当然也不排除氧化层界面上本身存在杂质, 这样不需要外部条件就能够诱发晶化, 随着温度的逐渐升高, 晶核也不断在生长, 最终导致氧化膜破裂形成失效。有实验数据显示, 晶体生长并最终导致氧化膜破裂的时间与电场强度呈指数函数分布, 即随着电压的增加和环境温度的升高, 晶体逐渐的生长, 生长前期可能对电容器本身特性没有任何影响, 一旦晶体穿破氧化膜, 钽电容将彻底失效, 所以该失效在前期不易被发现, 可能失效比率较低, 可随着时间的延长, 失效率会飞速增加并爆发, 后果不堪设想。
电流型失效主要是钽电容出现异常的漏电流, 前文我们已经说明, 钽电容ESR中漏电流电阻可以忽略, 但如果钽电容氧化膜上的缺陷逐渐恶化, 引起介质层的漏电流增大甚至介质短路, 则漏电流电阻将不能被忽视。虽然钽电容有一定的自愈性, 这也是其不同于其它电解电容的特点, 当出现一些缺陷形成击穿时, 钽电容二氧化锰层会产生变化, 在高温下形成新的氧化物, 阻碍问题的恶化, 但如果处于过电频繁的场合, 介质层可能被瞬间击穿, 无法自愈。
发热型失效一般是由于产品的损耗太大导致热失衡, 热量分布不均匀, 局部热量较大, 长期累积无法散开, 导致热破坏。
