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FF400R12KT3 Infineon英飛凌IGBT

時(shí)間:2021-1-28 分享到:

FF400R12KT3
1200 V 400 A双管 IGBT 模块
半桥 62 mm 1200 V, 400 A 双管IGBT 模块,采用第三代高速 TRENCHSTOP™ IGBT和优化的发射极控制高效二极管,是您设计的理想选择。也可提供采用共发射极的型号:FF400R12KT3_E
特征描述
•变频逆变器的出色解决方案
•UL/CSA 认证,以及 UL1557 E83336
•工作温度不超过 125°C (最高 150°C )
•优化开关特征,例如,柔软特性和降低开关损耗
•现有封装具有更高的电流能力
•符合RoHS
•灵活性•优化的电气性能•高可靠性
潜在应用•电机控制和驱动•太阳能系统解决方案
•商用、工程和农用车辆(CAV)•不间断电源(UPS)•工业加热和焊接

EPCOS电容 B43586-S9576-Q1 400V5700uF
EPCOS电容 B43458-S9688-M1 400V6800uF
EPCOS电容 B43456-S9688-M1 400V6800uF
EPCOS电容 B43456-S9478-M1 400V4700uF
EPCOS电容 B43564-S9478-M3 400V4700uF

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